100V25A 25N10 电弧打火机SGT工艺 MOS管25mΩ TO-252低开启电压1.4V惠海半导体HG021N10L

惠海半导体专业从事30-150V中低压MOS管的设计、研发、生产与销售，性价比高，量产稳定成熟，提供方案及技术支持。

场效应管广泛使用在模拟电路中与数字电路中，和我们的生活密不可分。场效应管的优势在于：首动电路比较简单。场效应管需要的驱动电流比BJT则小得多，而且通常可以直接由CMOS或者集电极开路TTL驱动电路；某次场效应管的开关速度比较迅速，能够以较高的速度工作，因为没有电荷存储效应；另外场效应管没有二次击穿失效机理，它在温度越高时往往耐力越强，而且发生热击穿的可能性越低，还可以在较宽的温度范围内提供较好的性能。场效应管已经得到了大量应用，在消费电子、工业产品、机电设备、智能手机以及其他便携式数码电子产品中随处可见。

惠海半导体MOS管采用SGT工艺，性能，品质好，具有高频率、大电流、低开启电压、低内阻、结电容小、低消耗、低温升、高转换效率、过电流大、抗冲击能力强、开关损耗小等的优点。

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MOS管型号：HG021N10L-A

参数：100V25A（25N10）

内阻：25mR（VGS=10V）

结电容：839pF

类型：SGT工艺NMOS

开启电压：1.4V

封装：TO-252

【惠海MOS管常规封装】SOT23-3、TO-252、SOP-8、TO-220、TO-263、DNF3*3等

【惠海MOS管常规型号】17N06 30N06 50N06 70N03 50N03 30N03 5N10 10N10 17N10 25N10 3400

【惠海半导体直销】30V 60V 100V mos管 3A 5A 10A 15A 25A 30A 50A贴片mos管 SOT23封装 TO-252 SOP-8 DFN3*3封装mos管